产业专利数据
 
具有腔内触点和介电镜的垂直发射激光器的制造方法
 
RU2016148712  2016-12-13  发明授权
2019-10-22
 
  领域 : 物理。物质 : 发明涉及半导体工程。 制造具有内腔接触和介电镜的垂直发射激光器的方法，包括在半绝缘GaAs衬底上连续外延生长半导体异质结构， 包括下部未掺杂的分布式布拉格反射器(DBR)，具有有源区的n型内腔接触层，具有Al[x]Ga[1-x]As p型开口层的光学谐振器，其中0.97
 
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