| 一种光栅复合型单光子雪崩二极管及其制作方法 |
| CN202210714238.5 2022-6-22 发明申请 |
| 2022-9-6 |
| 本发明公开了一种光栅复合型单光子雪崩二极管，包括衬底P?Sub区；衬底P?Sub区上设有NBL区；NBL区上设有圆形DN?Well区；圆形DN?Well区中间设有N?Well区，圆形DN?Well区上表面从外到内依次设有环形N+注入区、第一环形多晶硅栅、第一环形P+注入区、第二环形多晶硅栅、第二环形P+注入区、第三环形多晶硅栅和圆形P+注入区，所述第一环形多晶硅栅、第一环形P+注入区、第二环形多晶硅栅、第二环形P+注入区、第三环形多晶硅栅和圆形P+注入区引出用作阳极；环形N+注入区引出用作阴极。本发明实现了光栅器件与单光子雪崩二极管的复合，极大地扩展了器件的光谱响应范围。 |
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