| 超辐射发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN202111661067.6 2021-12-31 发明申请 |
| 2022-4-22 |
| 本发明公开了一种超辐射发光二极管芯片，该超辐射发光二极管芯片从下至上依次包括衬底、有源区下光限制层和有源区，该有源区包括有源增益区，该有源增益区两端均设有通过对接生长方式形成的吸收区，两个吸收区的多量子阱的光致发光谱PL波长大于有源增益区的多量子阱的光致发光谱PL波长。本发明通过三段式结构，在发光区两端各集成一段吸收区，通过对接生长的方式实现两个吸收区的多量子阱的光致发光谱PL波长大于有源增益区的多量子阱的光致发光谱PL波长。对于波长短的光源，在光源传输过程中易被两侧的吸收区波长较长的材料吸收，从而实现低纹波反射的超辐射发光二极管芯片。 |
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