| 一种高光谱光电探测器的制备工艺 |
| CN202111548710.4 2021-12-17 发明申请 |
| 2022-3-25 |
| 本发明公开了一种高光谱光电探测器的制备工艺，属于光电材料与器件技术领域，其包括以下步骤：S1、首先对石英玻璃基底进行清洗，再对其表面进行处理；S2、使用电子束光刻在石英玻璃基底上制作光栅阵列的图样，再通过沉积金属和清洗，得到第一层的金属光栅阵列；S3、使用旋涂法在金属光栅阵列之上沉积一层1.5μm厚的SU8介质材料，通过紫外曝光和加热将SU8介质层固定在第一层的金属光栅阵列之上，最终得到窄带分光器阵列；S4、选择InP基InGaAs作为探测器阵列制备材料，制备探测器阵列和与之对应的读出电路进行倒装键合；S5、将窄带分光器阵列与探测器阵列进行贴片集成。本发明适用于高光谱光电探测器的制备工艺。 |
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