| 研磨方法 |
| JP2021153009 2021-9-21 发明申请 |
| 2022-1-11 |
| 本发明公开了一种抛光设备，其能够以高精度测量膜厚度而不影响晶片的抛光速率。 该抛光设备包括：抛光头，被配置为将晶片压靠在抛光垫上； 具有设置在抛光台中形成的流动通道中的远端的照明光纤； 光谱仪，被配置为根据波长分解来自晶片的反射光，并且测量在每个波长处的反射光的强度； 具有设置在流动通道中的远端的光接收光纤； 与所述流动通道连通的液体供应管线； 与所述流动通道连通的气体供应管线； 安装在液体供给管线上的液体供给阀； 连接到供气管线上的供气阀； 以及操作控制器，被配置为控制液体供应阀和气体供应阀的操作。 |
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