| 半导体衬底上的后电极结构及其制造方法，以及用于制造溅射靶的电极结构 |
| JP2018558003 2017-12-19 发明申请 |
| 2019-10-24 |
| 一种背面电极的电极结构，形成在半导体衬底的背面上，并且具有多层结构，该多层结构包括按以下顺序层叠的金属层 : Ti层，Ni层和Ag合金层。 Ag合金层包括Ag和选自Sn，Sb和Pd的添加金属M的合金。 背电极的电极结构被配置为使得当在从Ag合金层到Ni层的深度方向上用X射线光电子光谱仪对背电极进行元素分析时， 在Ni层和Ag合金层的边界上， 中间区域，在该中间区域中由所有金属得到的光谱， Ni， Ag， 并且可检测的添加元素M是可观察到的，并且当基于从所有金属Ni，Ag和添加元素M得到的光谱转换中间区域中的每个金属含量时，添加元素M含量的最大值为5at%或更大。 |
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