| 一种硅基级联双环谐振腔芯片的再生方法 |
| CN202011549231.X 2020-12-24 发明申请 |
| 2021-7-27 |
| 本发明公开了一种硅基级联双环谐振腔芯片的再生方法，包括如下步骤：(1)用浓硫酸与双氧水的混合液对硅基级联双环谐振腔芯片进行处理；(2)将步骤(1)处理后的硅基级联双环谐振腔芯片放入光路系统；(3)配制二氧化硅刻蚀液；(4)将二氧化硅刻蚀液通入到传感环中；(5)用光谱仪实时观察谐振光谱，控制反应的时间和温度，当达到所需的谐振光谱时停止反应；(6)用去离子水对传感环充分冲洗，除去未反应的液体及杂质。通过本发明方法可以使硅基级联双环谐振腔芯片再生重复利用，有效地降低级联双环谐振芯片的制作成本和使用成本。 |
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