| 半导体结构，半导体器件，光电检测器和光谱仪 |
| US16448086 2019-6-21 发明申请 |
| 2020-1-9 |
| 本发明涉及半导体结构。 所述半导体结构包括半导体层，至少一个金属碳纳米管和至少一个石墨烯层。 半导体层限定第一表面和与第一表面相对的第二表面。 至少一个金属碳纳米管位于半导体层的第一表面上。 所述至少一个石墨烯层位于所述半导体层的第二表面上。 所述至少一个金属碳纳米管，所述半导体层和所述至少一个石墨烯层彼此堆叠以形成至少一个三层立体结构。 本发明还涉及一种半导体器件和一种光电探测器。 |
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