| 一种近红外光谱仪快速温控方法 |
| CN202110158057.4 2021-2-5 发明申请 |
| 2021-5-28 |
| 本发明提供一种近红外光谱仪快速温控方法，涉及近红外光谱仪领域。该近红外光谱仪快速温控方法，包括近红外光谱仪，所述近红外光谱仪内设置有升温模块、温控模块、定时模块，所述升温模块采用高温纳米陶瓷技术，所述温控模块包括数字温控芯片，所述定时模块包括脉冲定时器；所述高温纳米陶瓷技术即在电热元件喷涂0.05?0.1mm高温纳米陶瓷涂层，升温后与元件形成一体，对元件起到热保护(如氧化、腐蚀)，降低导热热阻；工作时吸收不同波长热量。本发明其设置有升温模块采用纳米陶瓷技术，快速升温, 10秒升温至50摄氏度, 使lnGaAs检测器快速进入适宜温度；同时采用数字温控芯片, 保持恒温50摄氏度, 使InGaAs检测器在安全温度范围。 |
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