| 短波红外探测器及其与CMOS兼容衬底的集成 |
| WOEP18062763 2018-5-16 发明申请 |
| 2019-11-21 |
| 本发明涉及一种制造短波红外(SWIR)探测器焦平面阵列(FPA)的低温方法，所述FPA包括读出晶片，所述读出晶片包括p-n结和吸收层，所述p-n结和吸收层被连接以改善性能。 吸收层包括具有GeSn或SiGeSn合金组成的SWIR转换层。 由Ge或GeSn组成的微掺杂缓冲层位于读出晶片和吸收层之间。 微掺杂缓冲层包括与所述读出晶片接触的结晶层。 本发明的方法基于第一系列工艺步骤来实现CMOS工艺读出晶片。 然后在所述读出晶片上转移略微掺杂的缓冲层， 包括与所述读出晶片接触的界面层的微掺杂缓冲层通过在与CMOS处理的读出晶片兼容的温度下退火，通过在所述界面层上施加短光源脉冲而结晶，从而获得高质量的结晶界面层。 该方法基于确保微掺杂缓冲层的光入射表面和读出电子器件之间的温度分布，使得退火温度保持与CMOS结构兼容。 然后，微掺杂缓冲层用于在其上进一步生长GeSn或SiGeSn层，以形成SWIR光转换层，并实现SWIR FPA的最终结构。 本发明还涉及通过本发明的方法实现的SWIR FPA检测器。 本发明还涉及包括本发明的SWIR检测器阵列1和包括至少两个波导的波导阵列的SWIR检测系统3，本发明还涉及SWIR FPA应用，例如多/高光谱LiDAR成像系统。 |
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