| 以毛细管冷凝法量测半导体结构 |
| TW106114513 2017-5-2 发明申请 |
| 2017-11-16 |
| 本文提出用于执行借由一毛细管冷凝法制程而填充之几何结构的光学量测的方法及系统。当使用包含一经控制量之填充材料之净化气体之一流动来处理该等被量测结构时，执行量测。该填充材料的一部分冷凝至该等被量测结构上，且填充该等结构特征中之开口、结构特征之间的空间、小体积(诸如，凹口、沟槽、狭缝、接触孔等)。基于该待填充之最大特征大小来调整该气体流动中之汽化材料之该饱和度。在一些实例中，当一结构系未填充的及当借由毛细管冷凝法来填充该结构时，收集量测资料，诸如光谱资料或影像资料。使该经收集资料组合，以改良量测效能。 |
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