| 一种大工艺宽容度的高级衍射抑制光栅 |
| CN201810561108.6 2018-6-4 发明申请 |
| 2018-11-6 |
| 本发明公开一种大工艺宽容度的高级衍射抑制光栅，包括不透光基底；不透光基底上开设有多个形状和面积相同且互不相交的多边形基元，其中，多边形基元在不透光基底上呈正方点阵准随机分布。不透光基底上设置有多个矩形区域，多个矩形区域呈正方点阵周期性排列、且正方点阵的周期为d，每个矩形区域内有且仅有一个多边形基元，多边形基元中心在矩形区域内随机分布。与现有的高级衍射抑制光栅相比，有效降低了工艺难度，解决了基元加工误差重新引入高级衍射的问题；在红外、可见光、极紫外、软X射线等各个波段均能够有效抑制2n，3n级高级衍射(n为非零整数)，为提高光谱测量精度和单色化光谱纯度提供了技术保证和工艺支持。 |
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