| 使用用于直接间隙半导体的改进的光学吸收模型的器件，系统和方法 |
| US16999975 2020-8-21 发明申请 |
| 2021-2-25 |
| 一种用于确定直接间隙半导体的特性的方法包括：用光谱仪测量直接间隙半导体的第一样品的至少一个光学常数，基于将模型α g(ln(1+e(h ν-eg)/(pEu))/ln(2))p拟合到基于所述至少一个光学常数的光学吸收曲线，计算直接间隙半导体的第一样品的光学参数的估计值，获得光学参数的至少一个第二值， 以及根据所述光学参数的所述估计值和所述光学参数的所述获得的第二值来计算所述直接间隙半导体的估计特性。 还公开了一种用于确定直接间隙半导体的温度的方法和一种用于确定直接间隙半导体的特性的系统。 |
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