| 用于检测电磁场的半导体衬底的制造方法和半导体物质 |
| DE112019001131 2019-3-4 发明申请 |
| 2020-11-26 |
| 本发明涉及一种用于制造用于光谱仪应用的半导体部件(1)的方法，并且涉及一种半导体部件(1)。 该方法包括通过微转印将半导体元件(5)施加到具有衬底(7)和集成电路(9)的部件主体(3)上。 由此，通过压模将半导体元件从牺牲晶片转移到目标晶片(54)。 半导体元件(5)具有用于接收辐射的有源区。 至少一个半导体元件(5)具有不同于另一半导体元件(5)的敏感光谱区域。 还可以通过所述方法将具有用于产生辐射的有源区的半导体元件施加到部件本体(3)上。 半导体部件(1)的半导体元件具有由制造方法引起的撕裂点(40)。 |
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