| 短波红外探测器阵列及其制造方法 |
| WOEP17079964 2017-11-21 发明申请 |
| 2019-5-31 |
| 本发明涉及短波红外(SWIR)检测器阵列的制造方法，所述短波红外(SWIR)检测器阵列包括读出晶片(I)和吸收晶片，所述读出晶片和吸收晶片通过重结晶的a-Si层连接以改善性能。 吸收体晶片(II)包括具有Ge1-xSnx合金组成的SWIR转换层(80)。 本发明的方法基于实现读出晶片(I)和吸收晶片(II)的一部分的第一系列工艺步骤，包括读出晶片和吸收晶片的第一部分的低温接合。 在这第一系列步骤之后，连接读出晶片和吸收晶片的所述第一部分的a-Si中间层通过由光源向该层发送热量而被重结晶。 所述方法基于确保读出晶片的光入射表面和CMOS电子层之间的温度分布，使得在重结晶过程中读出层的温度保持低于350℃。 在重结晶工艺步骤之后，通过在低温下沉积SWIR转换层(80)来完成吸收晶片。 本发明还涉及通过本发明的方法实现的SWIR检测器阵列，以及SWIR检测器阵列的应用，例如多/超光谱激光雷达成像系统。 |
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