| 使用厚图案化半导体晶体的宽带太赫兹接收器 |
| CA3027228 2018-12-12 发明申请 |
| 2020-6-12 |
| 本专利详细描述了由图案化半导体材料组成的器件的设计，以利用电光采样提供太赫兹(THZ)脉冲的增强的检测带宽和效率。 两束光束被输入到该装置，一束在太赫兹和近红外(NIR)频率。 标准电光采样依赖于这两个共线光束之间的非线性光学相互作用。 我们的思想是在电光检测晶体上使用周期性表面调制或相位光栅来衍射NIR光束，同时在较长波长下THz保持不受影响。 这种非共线几何结构允许在较宽的光谱范围上满足相位匹配条件，并且能够通过电光采样进行宽带THz检测。 它还允许使用厚半导体晶体，该厚半导体晶体使THz和NIR脉冲之间的非线性相互作用长度最大化，结果，在不损害检测带宽的情况下提高了检测灵敏度。 此外，光栅可以定向为使得由于与THz脉冲的非线性相互作用而产生的p偏振近红外信号在光栅的背面具有比背景s偏振分量更低的菲涅耳反射系数。 这进一步提高了设计的检测灵敏度。 我们的技术可以推广到几种材料，并且依赖于常规的光刻制造工艺。 |
微信公众号