| 一种采用光学显微镜表征二维材料层厚和堆叠形式的方法 |
| CN201811363511.4 2018-11-16 发明申请 |
| 2019-4-5 |
| 本发明公开了一种采用光学显微镜表征二维材料层厚和堆叠形式的方法。计算了几种二维材料，2H?MoS2、2H?MoSe2、2H?MoTe2、2H?WSe2、2H?NbSe2以及3R?WS2在SiO2(300nm)/Si衬底上的对比度。除了2H?MoTe2材料外，其余材料在入射光为500nm?550nm这一波段时，对比度随着层数的变化有着较好的区分度，可以依此计算结果来利用光学显微镜表征机械剥离法或者CVD法制备的TMDCs材料的尺寸及层数等。对于2H?MoTe2材料，当入射光为540nm时，可以选用SiO2厚度为150nm或者340nm左右的硅片作为衬底来进行表征，从而得到比较理想的结果。分别计算了2H?TaS2和1T?TaS2材料在SiO2/Si衬底上的对比度，两种堆叠类型的TaS2材料在对比度上表现出了截然不同的变化方式，利用这个特点可以判断二维材料的堆叠形式。 |
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