| 半导体衬底的后电极的电极结构，其获得方法和用于制造电极结构的溅射靶 |
| RU2019122822 2017-12-19 发明授权 |
| 2020-3-30 |
| 字段 : 本发明涉及背电极的电极结构，获得背电极的电极结构的方法和用于形成Ag合金层的溅射靶，所述Ag合金层用于获得背电极的电极结构的方法中。 形成于半导体衬底背面的具有多层结构的背面电极的电极结构包括 : 金属层； 按以下顺序分层 : Ti层， Ni层和Ag层为合金， 其中Ag合金层包括Ag合金和选自Sn的附加金属M， Sb和Pd， 所述电极后电极结构被配置为使得当在从所述合金的Ag层到所述Ni层的深度方向上使用X射线光电光谱仪对所述后电极进行元素分析时， 在Ni层和Ag合金层的边界处观察到中间区域， 其中可以检测从所有金属获得的光谱， 即Ni，Ag和附加元素M，并且当重新计算中间区域中的每种金属的含量时，基于从所有金属等获得的光谱，Ni，Ag和附加元素M，附加元素M的最大含量为5at. 效果 : 本发明能够获得在Ni层附近形成的耐电极击穿的背面电极的电极结构。 |
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