| 密封的分子光谱仪单元 |
| US15697525 2017-9-7 发明授权 |
| 2020-2-4 |
| 一种示例性方法(和装置)包括 : 蚀刻第一衬底(例如，半导体晶片)中的空腔；在第一衬底的第一表面上和空腔中形成第一金属层；以及在非导电结构(例如，玻璃)上形成第二金属层。 该方法还可以包括去除第二金属层的一部分以形成虹膜以暴露出非导电结构的一部分， 在所述第一金属层和所述第二金属层之间形成接合，从而将所述非导电结构附接到所述第一基板，密封所述非导电结构和所述第一基板之间的界面，以及在所述非导电结构的表面上构图天线。 |
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