| 短波红外探测器及其与CMOS兼容衬底的集成 |
| WOEP18050785 2018-1-12 发明申请 |
| 2019-7-18 |
| 本发明涉及一种低温制造短波红外(SWIR)探测器阵列(FPA)的方法，所述阵列包括读出晶片(I)和吸收层，所述读出晶片和吸收层连接以改进性能。 吸收层包括具有GeSn或SiGeSn合金组成的SWIR转换层。 本发明的方法基于第一系列工艺步骤来实现CMOS处理的读出晶片。 然后在所述读出晶片上转移缓冲层，并在与CMOS衬底兼容的温度下通过短光源脉冲退火，以获得高质量的晶体缓冲层。 所述方法基于确保缓冲层的光入射表面和读出电子器件之间的温度分布，使得退火温度保持与CMOS结构兼容。 然后使用缓冲层进一步生长GeSn或SiGeSn结构，以形成转换层并获得SWIR FPA的最终结构。 本发明还涉及一种通过本发明的方法实现的SWIR FPA检测器。 本发明还涉及SWIR FPA应用，例如多光谱/超光谱LIDAR成像系统。 |
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