| 单片集成的中红外锗基微型谐振腔及其制作方法 |
| CN201811589660.2 2018-12-25 发明申请 |
| 2019-5-24 |
| 本发明涉及集成光学技术领域，为提供中红外吸收光谱装置，本发明，单片集成的中红外锗基微型谐振腔及其制作方法，包括：锗基光耦合器、悬空薄膜锗基波导、悬空薄膜锗基微型谐振腔，所述的锗基光耦合器与悬空薄膜锗基波导相连，用于实现外部光源与悬空薄膜锗基波导之间的中红外光的耦合；悬空薄膜锗基波导位于悬空薄膜锗基微型谐振腔的侧面，通过倏逝场实现悬空薄膜锗基波导与悬空薄膜锗基微型谐振腔之间的中红外光的耦合；中红外光在悬空薄膜锗基微型谐振腔中产生共振，实现光场的增强输出。本发明主要应用于红外吸收光谱装置的设计制造场合。 |
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