| 原子发射光谱仪、半导体制造系统和半导体元件制造方法 |
| CN201810337027.8 2018-4-16 发明申请 |
| 2019-3-29 |
| 本公开提供了原子发射光谱仪、半导体制造系统和半导体元件制造方法。一种原子发射光谱仪(AES)包括：至少一个激光发生器，其被构造为产生激光束；室，其包括布置在室中的椭圆反射镜或球面镜，椭圆反射镜或球面镜被构造为反射透射至室中的激光束，使得激光束会聚和照射至容纳在室中的被分析物上，以产生等离子体并发射等离子体光；供应器，其连接至室，以将被分析物供应至室中；以及光谱仪，其被构造为接收和分析等离子体光，并且获得关于等离子体光的数据以检测被分析物中的元素。 |
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