| 一种基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源及激发方法 |
| CN201810600748.3 2018-6-12 发明申请 |
| 2018-11-30 |
| 本发明公开了一种基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源及激发方法，包括过渡金属硫族化物薄膜和泵浦光源；本发明通过固定入射激发脉冲，旋转过渡金属硫族化物薄膜平面中心轴，泵浦光源激光以0°～90°入射激发过渡金属硫族化物薄膜的表面辐射太赫兹波。本发明通过使用过渡金属硫族化物薄膜作为太赫兹发射源，使得产生的太赫兹源具有高辐射效率；且由于薄膜良好的导热性，稳定的晶格结构，可调的能带带隙，保证了器件的使用寿命以及更广的适用范围，填补了二维材料太赫兹发射源种类；将过渡金属硫族化物薄膜作为太赫兹发射源，能够产生椭圆偏振太赫兹波，而椭圆偏振太赫兹波在分子手性光谱，物质圆二向色性光谱，以及偏振成像等方面具有重要的意义。 |
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