| 扫描电子显微镜的污染检测方法 |
| CN201810830214.X 2018-7-26 发明申请 |
| 2018-12-18 |
| 本发明技术方案公开了一种扫描电子显微镜的污染检测方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质抗反射层；将所述半导体衬底置于所述扫描电子显微镜所处的真空环境中，使所述半导体衬底充分暴露在所述真空环境中；在所述介质抗反射层上形成光刻胶图形；通过所述扫描电子显微镜获取形成有光刻胶图形的半导体衬底的表面图像；基于所述半导体衬底的表面图像检测所述光刻胶图形的缺陷。本发明技术方案可以监控扫描电子显微镜对半导体产品的污染影响。 |
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