基于扫描电子显微镜的三维关键尺寸测量方法
 
CN201711139423.1  2017-11-16  发明申请

2018-5-4
 
  本发明公开了一种基于扫描电子显微镜的三维关键尺寸测量方法,属于半导体技术领域。所述方法包括:将电子束沿竖直方向倾斜第一角度入射沟道,通过扫描电子显微镜拍摄沟道图片得到第一图片,分析第一图片得第一角度的正切表达式;将电子束沿竖直方向倾斜第二角度入射沟道,第二角度与第一角度不等,通过扫描电子显微镜拍摄沟道图片得到第二图片,分析第二图片得到第二角度的正切表达式;根据第一角度的正切表达式和第二角度的正切表达式计算沟道的三维关键尺寸。本发明中,实现了高深宽比的三维关键尺寸的快速在线无损测量,其不仅能够节约时间和成本,缩短研发周期,而且能够满足大规模的生产要求。
 
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