| 一种利用导电原子力显微镜装置检测薄膜忆阻特性的检测系统及方法 |
| CN201810011583.6 2018-1-5 发明申请 |
| 2018-8-3 |
| 本发明涉及微电子的技术领域，更具体地，涉及一种利用导电原子力显微镜装置检测薄膜忆阻特性的检测系统及方法。一种利用导电原子力显微镜装置检测薄膜忆阻特性的检测系统，其中，测试样品的结构仅包括导电衬底和阻变介质层。由于导电原子力显微镜的探针半径通常为20nm左右，因此本发明可以用来检测纳米级尺寸微小电极下器件特性。增加导电原子力显微镜的限流功能，可以检测不同限流下的忆阻特性。进一步利用导电原子力显微镜的扫描功能，可以探测薄膜阻变特性的均匀性；该测试方法提供了一种便捷的薄膜阻变特性检测方法。 |
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