| 判定重叠误差之方法、用以制造多层半导体装置之方法、原子力显微镜装置、微影系统及半导体装置 |
| TW106120199 2017-6-16 发明申请 |
| 2018-3-16 |
| 使用一原子力顯微術系統對介於一多層半導體裝置之諸裝置層之間的一重疊誤差進行判定之方法，其中該半導體裝置包括含有一第一圖型化層及一第二圖型化層之一裝置層堆疊，以及其中該原子力顯微術系統包含一掃描頭，該掃描頭包括一探針，該探針包含一懸臂及布置在該懸臂上之一探測尖端，其中該方法包含：使該探測尖端與該半導體裝置在平行於表面之一或多個方向彼此相對移動，以供利用該探測尖端對該表面進行掃描；以及在該掃描期間以一尖端位置偵檢器監測該探測尖端相對於該掃描頭之動作，用於取得一輸出信號； 其中該方法更包含：在該掃描期間，對該探針或該半導體裝置其中至少一者以一第一頻率施加包含一信號分量之一第一聲學輸入信號；分析該輸出信號，用於至少映射該半導體裝置之該表面下面之次表面奈米結構；以及基於該分析，對介於該第一圖型化層與該第二圖型化層之間的該重疊誤差進行判定。 |
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