| 一种基于扫描电子显微镜的芯片热变形测量方法 |
| CN201710852515.8 2017-9-20 发明申请 |
| 2018-2-9 |
| 本发明公开基于扫描电子显微镜的芯片热变形测量方法，属于材料性能检测技术领域，本发明利用扫描电子显微镜的高景深和高分辨率特性，通过与原位加热装置的集成，充分考虑了热影响及系统畸变带来的测量误差并对其进行校正；利用畸变校正后的散斑图像，通过数字图像相关算法计算求得芯片由于受热而产生变形的面内变形场。在上述基础上，本发明实现了微纳尺度的芯片全场热变形测量并在实际工程中进行了应用。 |
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