| 透射电镜样品制备中电压衬度的利用 |
| US15264478 2016-9-13 发明授权 |
| 2017-10-3 |
| 随着处理节点的减少，以及诸如三维多栅晶体管(例如鳍型场效应晶体管)等替代器件结构在IC设计中的使用，透射电子显微镜(TEMs)在故障分析实验室中正被更频繁地使用。 然而，这些类型的结构可能混淆典型的TEM样品(或“薄层”)制备，因为所得薄层可能包含多个潜在的缺陷结构，使得难以识别实际的缺陷结构。 在包括扫描电子显微镜(SEM)柱的双束聚焦离子束(FIB)显微镜系统中，通过系统地识别无故障结构并将它们从薄层中铣削直到识别出故障结构，可以使用无源电压对比。 |
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