| 液体金属离子源 |
| JP62056513 1987-3-13 发明申请 |
| 1987-9-22 |
| 目的 : 以得到一种金属离子源到被用于形成所述iiiwv化合物中的杂质水平的半-导体，通过分类和处理的合金，其包括至少一个元件进行的是，Si，Se和Te元素和匝数，以一种液体金属在所述的温度10a100A°C。结构 : 一发出的离子电流从形成一针尖端3是通过提取的提取电极5，和它被隔离到所述电流的一特定离子的原子种类通过一质量光谱仪，并辐射到一个目标。这里，使用碳，以形成一坩埚1，用于存储一液体金属，W单晶形成所述尖端3，和pd-50%Si作为一种材料用于所述液体金属4，和所述坩埚1°C是加热在100a～或更高，以匝其内容以均质化液态金属。所述Si从所述离子电流隔离6，通过提取电极5，是辐射面100上的一GaAs，从而使Si受体可以被形成在所述GaAs晶体与一预定浓度。还，可以，此外可以使用Se或Te所述Si。 |
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