| 装置用于控制粒子束外延设备中的颗粒束的强度 |
| JP59254741 1984-11-30 发明申请 |
| 1986-6-20 |
| 目的 : 控制所述一种化合物半导体在高精度的混合晶体比，和以得到一种晶体具有高的质量，通过检测荧光发射的光从所述粒子束与单色的光激发辐射，和控制该所述粒子束根据该检测信号的强度。组成 : 该梁-源室12和该生长室13所述真空室10的一种颗粒的束外延生长装置被抽空，该冷却壁11分离两个室是填充有一种制冷剂如液N2，等，和该衬底2是加热在一种规定的温度通过该基板支撑台。粒子束是从所述粒子发出的光束源30，40，和仅该所需种类的颗粒梁26a，26b被传送通过该百叶窗20和孔16与该该衬底的表面2。该颗粒梁26a，26b是与单色发射的光54从该光照射源50，如氙灯，等，和带有非单色化与一光谱仪52，和所发射的荧光的光被检测由所述的荧光光检测器56a，56b，和反馈通过该光纤57a，57b和所述photometers58a，58b与质量流控制器31，41以一定的颗粒束下该晶体的生长效果强度。 |
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