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产业专利数据

JP58165198 1983-9-9 发明授权

1992-10-27

公开了一种改进的发射光谱分析仪，其中将来自高温等离子体中的样品的光引入吸收池，对吸收池施加磁场，利用塞曼效应，对吸收单元进一步加压，以使所需元件的吸收线的宽度等于该元件的共振发射线的宽度，并且仅通过适当的调制装置选择该元件的共振发射线并以高灵敏度检测。