| 离子注入装置 |
| JP01156470 1989-6-19 发明申请 |
| 1991-1-30 |
| 目的 : 以避免MIS电容器中存储的电荷，并以防止所述绝缘膜的击穿由于通过安装一个光源到充电到一离子注入装置和具有光照射所述MIS电容器具有所述的能量高于所述工作功能接口的一个半导体衬底和所述绝缘膜。构造 : 离子是通过一种离子源1产生的和希望的离子被选择的一种质量光谱仪2在所述离子源1的引出离子，和所选择的离子被加速到期望的能量通过一个加速器3。离子加速到期望的能量被引入到一个样品室4，并注入到半导体衬底5。所述样品室4被排出从排气端口6，并保持在高真空。当离子被注入到所述半导体衬底5，所述半导体衬底是与所述的光9照射一高压汞灯8，从而防止由于充电所述MIS电容器的击穿。因此，所述MIS电容器的击穿由于在所述离子注入被消除的时间充电，因此所述一种半导体装置的质量和成品率提高。 |
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