| 检查的外延晶片 |
| JP62086363 1987-4-8 发明申请 |
| 1988-10-18 |
| 目的 : 以评估所述特性的光-发光二极管通过一个非接触方法在所述晶片级的一种方法其中所述光学发光，其是一激光束是倾斜时产生的所述晶片的表面上的投影; 为允许要通过一反射镜反射，然后通过一光电倍增管检测。结构 : 一外延晶片1被设置在一晶片探测器2，和一个激光振荡器3被致动用于所发射的氩离子激光束L1，它进入一光谱仪4。该光谱仪4改变该光束L1为一束L2，它是一个反射镜5上的投影，其所述外延晶片1上突出一束l3倾斜。所述光束的光激发可归因于到所述的能量l3结果在一个发光L4，其进入一个反射镜6用于反射所产生的光束l5。所述反射光束l5进入一光谱仪7，并被放大由光电倍增管8用于测量。在这种方式，所述光-发光二极管的特性可以被所述晶片中的额定阶段通过使用一种非接触方法。 |
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