| 浸渍式阴极 |
| JP61121005 1986-5-28 发明申请 |
| 1987-12-3 |
| 目的 : 使一氧化一薄的膜中的W的人工可控状态，通过intruducing氧化气体如氧气体，水蒸气或等以及控制所述薄膜的粘附在所述的时间，或蒸汽。结构 : 使sc2o3一个供给源，一薄膜8W和Sc2O3的组成是stucked到阴极由一真空溅射过程的装置。在预先这种真空溅射的，高纯度的氧是通过一种气体引入导引器，以使一种溅射蒸镀容器中的氧局部压力到成为1a×10a～W1a×10a-4乇，和所述测量局部压力通过一小尺寸的质量光谱仪安装在所述容器。与这种操作，所述薄膜中的W膜8被氧化。与这种构建，该W可以被人工控制的氧化状态。 |
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