| 半导体装置的制造 |
| JP60078347 1985-4-15 发明申请 |
| 1986-10-22 |
| 目的 : 为了能够易于一非常微小的期望的区域中的离子注入与高位置精度的一种方法，其中一聚焦离子束包含两个种类的杂质离子被施加到一半导体衬底的所需部分。结构 : 一个电场和磁场，其被垂直于离子束被施加在一个质量光谱仪22以偏转该光束在根据与所述的荷质比离子，和仅一个希望的离子籽晶被传递通过一个第一孔23。一质量分离功率是通过扩大该第一孔的直径降低23或制造小的所述距离到所述从中质量光谱仪22，和通过加速所述离子在所述光束的前进方向在该质量光谱仪22或其它装置，和从而多个的光谱在接近到一个另一可被合并成一个频谱。当一聚焦离子束形成在该通过矢量扫描的方式被施加到衬底，一个区域在其中的杂质被注入与所述水平方向中的浓度不同的分布可以通过形成一个线性扫描。 |
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