| 用于半导体材料电子沟道衬比成像的多束电子显微镜 |
| US15185920 2016-6-17 发明授权 |
| 2017-8-22 |
| 本发明提供了一种用于ECCI的多束电子显微镜。 电子显微镜有一个平台，上面放置一个晶体样品。 电子显微镜的至少第一电子源和第二电子源安装在外壳上。 所述壳体可通过用于形成支点的枢轴相对于纵向方向倾斜，使得所述第一电子源和所述第二电子源同时倾斜，并且当所述壳体倾斜时，所述第一电子源和所述第二电子源沿竖直轴线与所述平台的距离基本相等。 电子显微镜还具有电子束聚焦组件，用于将由电子源产生的电子束聚焦到晶体样品上以产生后向散射电子。 电子显微镜还具有用于检测后向散射电子的检测器。 |
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