| 离子注入装置 |
| JP57143212 1982-8-20 发明申请 |
| 1984-2-23 |
| 目的 : 使两个不同种类的离子被同时进行离子注入，并使离子种类，其被p型和所述N型杂质到一半导体基板，以产生被同时在一个离子源和spectrographs安装两个质量的同时进行离子注入。结构 : 硼离子30，它行进时从所述时间从所述出口所述的磁场的一个第二质量光谱仪31和由所述时间当它进入一第一质量光谱仪25，是加速由-40a伏的电压，其被施加在第一和第二质量spectrographs25和31从而进入到再次具有一个KeV50a的能量。其后，所述硼离子30再次行进到第一质量光谱仪25，其中所述硼离子30以一具有一半径的轨道50厘米，然后进入到具有相同的方向作为磷离子26在所述出口36的第一质量光谱仪25之前到达目标部分27。通过这样使所述磷离子26和所要同时注入硼离子30，一N型硅基板是通过提供与发射器，用于形成一晶体管所使用的磷以及作为一种用于通过所使用的硼形成所述晶体管基。 |
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