| 用于半导体生长方法在气态相 |
| JP56003177 1981-1-14 发明申请 |
| 1982-7-21 |
| 目的 : 形成所述均匀的半导体一种反应炉中通过有选择地照射电磁波，其具有必要的强度和照射时间，以一衬底具有小的生长和所述反应气体的速度所述的上部分。结构 : 紫外发射的光束从高-张力汞电弧灯12被用于作为所述电磁波。该反应气体是采样从所述反应管1的上表面，并发送到一个质量光谱仪8，和所述生长的速度在每个位置是与参考值相比较，并反馈到所述高-张力所述的照射时间汞电弧灯12通过一控制器10。生长的任何机构增加该速度是一束照射区域内也有限，和所述速度所述光束的照射区域内有选择地生长的是增加。所述的杂质浓度区，其中所述的生长是增加的速度通过该照射所述光束被未最小化由于该分子的掺杂气体也被激活通过所述的照射该光束。即使当所述的所述气体流率和生长时间为生长条件大大改变，一种均匀气相生长层可以容易地通过改变所获得的所述的照射束的强度。 |
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