| 干蚀刻装置。 |
| JP55031573 1980-3-14 发明申请 |
| 1981-10-13 |
| 目的 : 待处理的物质之间以uniformize处理的进程通过检测所述处理该物质的条件下的一个通过一个和单独地停止该处理在该端部。组成 : 处理室1是抽空的抽吸从管14，和一种蚀刻气体被引入到室1从进料管13。通过供电电极表6从高频功率源27，之间产生辉光放电是表6和电极11以蚀刻物质30。所产生的等离子体是与透镜系统16捕获的光通过照明窗9和发送到光谱分析仪18通过光引导件17。在分析仪18的预定波长被转换成电压，和该电压被施加到端检测电路20，其中它是与该参考电压相比。当两个该电压与每个其它一致或所施加的电压低于该参考电压，一种信号是给快门驱动电路26以驱动螺线管22，和快门25移动到一个上部部分的物质30与盖所蚀刻的表面，从而停止该进一步蚀刻的进程。这种操作是进行用于各物质30。 |
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