| 汽相生长装置。 |
| JP53131529 1978-10-27 发明申请 |
| 1980-5-6 |
| 目的 : 提供一种通过形成汽相生长装置与控制精度高的取样管为双壁结构和通过一个低温度。流体用于冷却通过该管的外侧，以防止该管上沉积一种生长的物质。组成 : Si的进料气体被引入到反应器5与H2气体一起作为载体气体和减少在加热夹具3上加热2通过高频加热，以沉积Si半导体衬底4。取样管6被装入反应器5在该中心部分到样品进料气体和一种副产物。管6的是双壁结构，和它们被发送到质谱仪7通过毛细管tubr12。低的温度。H2的冷却是通过所述的外管6，以保持管6在一个温度。低于基材的4，由此防止Si是连接到发送一个固定量的所述气体到光谱仪7通过管12内的一个恒定的直径。该低温度。h2是从入口13引入，向下流动通过隔板14，向上流动从一个开口在该管12的附近区域，和排出16。 |
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