| 一种具备场效应晶体管功能的透射电镜样品台载样区 |
| CN201610630623.6 2016-8-2 发明申请 |
| 2016-12-7 |
| 一种具备场效应晶体管功能的透射电镜样品台载样区，包括探针区域和空白区域，空白区域没有晶体管，只是覆盖有SiO2为绝缘层的Si衬底，探针区域包括不少于1个的探针，每个探针包括依次排列的不少于1个的场效应晶体管，每个场效应晶体管以Si为基底材料，SiO2作为绝缘层覆盖在Si基底层表面，栅极G位于Si基底层底部中心，源极S和漏极D位于SiO2绝缘层的上部，源极S与漏极D之间为沟道区，沟道区内放置待表征样品。本发明的优点是：适于表征的材料样品不仅是半导体材料，还可是导电材料和绝缘材料，能在晶体管中构成闭合回路，实现电学性能与结构变化的实时表征，为分析检测材料的结构与电学性能之间的关系提供了新手段。 |
微信公众号