| 极紫外显微镜、EUV光刻和X射线成像的新目标 |
| US14465404 2014-8-21 发明申请 |
| 2015-2-26 |
| 公开了一种用于EUV光谱、EUV显微镜、EUV光刻和X射线成像的成像设备。 这种新的成像设备尤其可以在10至15nm波长范围内对EUV光刻作出重大贡献，目前正在为制造下一代集成电路而开发该光刻。 本公开提供一种新颖的可调节成像设备，其允许在X射线成像、EUV成像和EUVL中产生标记图像。 与先前描述的目的相比，本发明的成像设备包括额外的特性。 一对包含凹凸排列的球形反射器的使用已经应用于EUV成像系统，以允许图像和光学器件都被放置在真空室的同一侧。 另外，前面描述的两个球形反射器段已经被两个全球或者更准确地说，两个球形环代替，使得总光子吞吐量大大增加。 最后，允许的Bragg角和可能的物镜放大率的范围已大大增加。 |
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