| 掩模和晶片扫描电子显微镜配准或覆盖测量的布局 |
| US13835147 2013-3-15 发明申请 |
| 2014-9-18 |
| 本发明提供了一种用于分别形成包括植入层的FEOL层的叠层覆盖和配准监控结构以及用于形成包括BEOL互连的BEOL SEM覆盖和配准监控结构的方法和所得到的装置。 实施例包括在半导体衬底上的有源层中形成有源监控结构，该有源监控结构具有以第一距离隔开的第一和第二边缘； 形成具有第一和第二边缘的多晶监控结构，所述第一和第二边缘在多晶层中隔开第二距离； 以及在接触层中形成一个或多个接触监测结构，共同暴露有源监测结构和多晶硅监测结构中的每一个的至少第一和第二边缘； 其中，所述有源层、所述多晶硅层和所述接触层分别在不包括IC图案的区域中形成所述有源层、所述多晶硅层和所述接触监测结构。 |
微信公众号