| 与纳米通道的微流体装置 |
| GB0800269 2008-1-8 发明申请 |
| 2008-2-13 |
| 在本发明的一些实施例，所述的氧化硅埋技术的使用在制造流体通道，特别是纳米通道。例如，流体通道可以由在埋置的氧化硅层上，通过蚀刻氧化埋层与方法是选择性地移除氧化硅，但不硅。因此，所得到的一维流体通道限制所述埋入氧化物层的厚度。它可以制造非常薄掩埋氧化物层具有较高的精度，从而可以制造纳米通道在受控的方式。此外，除了埋置氧化物，任何对物质具有高蚀刻比相对于彼此可用于在相同方式。还提供流体通道，装置，设备及系统，其包含流体通道，及其用途。 |
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