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一种降低临界尺寸电荷的方法扫描电镜计量法

US14157804 2014-1-17 发明申请

2014-7-24

本发明提供了在通过光刻产生的结构中的临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜(SEM)计量学期间减少或消除电荷累积的方法和组合物。在结构的构造中使用包括硅的底层。当使用SEM扫描包括含硅底层的光刻结构以获得CdS时，底层在SEM计量观察期间减少或消除电荷累积。