| 扫描电子显微镜和制备样品方法 |
| US14116697 2012-3-14 发明申请 |
| 2014-3-27 |
| 在现有技术中，当从检查数据中选择要分析的位置时，不选择整个缺陷中相对高度关键的缺陷作为要分析的缺陷。 此外，当标记被放置在与缺陷相关联的固定位置时，标记根据缺陷的形状和大小影响缺陷本身，这在随后在分析设备中进行的分析中是有问题的。 为了选择高临界缺陷作为要分析的缺陷，使用来自回顾SEM的自动分类结果来选择要分析的缺陷。 此外，为了避免对缺陷本身的影响，标记被放置在与缺陷相关联的位置，其中从缺陷到标记位置的距离根据缺陷而改变。 为此，基于ADR或ADC识别缺陷的形状和大小，并且考虑到要受标记影响的范围，将标记放置在与缺陷相隔一定距离的位置。 此外，在用sem不能观察到缺陷的情况下，通过使用光学显微镜的观察结果来放置标记。 |
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