| 用于探测显微镜悬臂与单极型晶体管 |
| RU2012120775 2012-5-21 发明授权 |
| 2014-1-27 |
| 字段 : 仪表，物质 : 用于扫描探针显微镜探针包括电荷传感器设置在悬臂尖端和由单电极的晶体管制成的硅层中掺杂到退化状态的硅-绝缘体(SOI)结构上基板上。晶体管具有两个馈电电极设置在衬底中的锐角到每个其它板与会聚端部接触与晶体管中的滞留馈电岛，以使晶体管源和漏极，两个锐化的中间进料的收敛电极的电极设置在所述区域; 其尖端被导向到导电岛，以使电容间隙与所述后者的作用为晶体管的栅极。跨接在馈电电极的接触端与晶体管的区域馈送岛表示电阻元件，以使隧道过渡。注意这里使基板边缘被偏斜而晶体管的岛，跳线和进料和中间电极的端部邻接的所述斜延伸超过该绝缘体层。效果 : 格进行移动的电荷集中在SOI板寄生噪声的效果绝缘体层，较高的电荷灵敏度probe.5的Cl，6显示 |
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