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| - 膜层厚度对Ag_TiO_2膜透光隔热性能的影响
- 作者：丁泽良;陈飞龙;黄志翔;杨益辉; 来源期刊：包装学报 年卷号：2016(2).15-19
- 摘要：采用磁控溅射工艺制备了玻璃基Ag/TiO_2膜,并研究了膜层厚度对其透光隔热性能的影响。结果表明:当Ag膜厚度由6.7 nm增加到9.5 nm时,红外光的平均透过率由42.06%减小到7.70%,隔热温差由1.9℃增大到5.7℃,而可见光的平均透过率则呈现出先增加后减少的变化趋势,当Ag膜厚度为7.
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- 二步电沉积法制备Au_氧化石墨烯复合薄膜作为SERS基底（英文）
- 作者：季平;花银群;赵杉月;刘伟; 来源期刊：化工新型材料 年卷号：2016(2).145-147
- 摘要：采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上制备多组分掺杂ZnO薄膜,研究了衬底温度和氧分压对Bi、Cr、Sb、Mn和Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及电学性能的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,ZnO(002)衍射峰相对强度先增强后减弱;薄膜表面粗糙度先减小后增大。随着氧分压的增大,Z
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- 以介孔TiO_2膜为过渡层在玻璃基底上制备Cu_3(BTC)_2连续膜
- 作者：苏江滨;张建华;刘阳;蒋美萍;周磊; 来源期刊：Science China Materials 年卷号：2016(2).144-150
- 摘要：本文研究了依赖于参数物理溅射铜的氧化以及相关金属电阻率铜基半导体薄膜的制备.研究发现,在物理溅射过程中,通过简单地调节沉积参数可以得到各种各样的铜基(氧化)薄膜,如纯Cu、Cu2O、Cu O薄膜和Cu/Cu2O、Cu2O/Cu O复合薄膜.文中揭示了物理溅射铜氧化的主要氧来源和依赖于参数
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- 衬底温度对共溅射法制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长的影响
- 作者：曹胜;武莉莉;冯良桓;王文武;张静全;郁... 来源期刊：无机材料学报 年卷号：2016(2).141-147
- 摘要：蒸汽输运法是制备高质量且大面积均匀的Cd Te薄膜的一种优良的方法。采用自主研发的一套蒸汽输运沉积系统制备了Cd Te多晶薄膜,并研究了衬底温度对Cd Te薄膜性质及太阳电池性能的影响。利用XRD、SEM、UV-Vis和Hall等测试手段研究了衬底温度对薄膜的结构、光学性质和电学性质的0
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- 退火对P(VDF-HFP)共聚物薄膜结构和介电性能的影响
- 作者：花银群;季平;陈瑞芳;赵杉月; 来源期刊：真空科学与技术学报 年卷号：2016(2).141-145
- 摘要：采用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上生长ZnO基陶瓷薄膜,分别在650℃,750℃,850℃和900℃下退火,研究了退火温度对ZnO基陶瓷薄膜压敏性能的影响。结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的压敏电压逐渐增大,非线性系数先增大后减小,漏电流密度先减小后增大。850℃退火处理后的薄膜?
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