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| - H_2气氛对采用MOCVD法在Si衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响
- 作者：汤猛;李勇男;殷波;钟传杰; 来源期刊：液晶与显示 年卷号：2016(12).1124-1130
- 摘要：基于溶液旋涂法和高压退火工艺制备了a-IGZO薄膜。采用椭圆偏振光谱分析仪以及原子力显微镜研究和分析了H_2O_2对薄膜的表面结构和光学特性的影响。实验结果表明,a-IGZO前驱液中不含H_2O_2的薄膜,退火温度从220℃升高到300℃,薄膜的光学带隙从3.03增加到3.29,而膜表面粗糙层由2
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- 超导电力技术研发问题分析
- 作者：明昕玥; 来源期刊：技术与市场 年卷号：2016(12).109
- 摘要：超导电力技术涉及物理学、电气工程、材料科学等大量的新学科,目前,超导电力技术开始日益成熟,在各类电力装备中得到了推广与应用。利用这一技术,可以有效解决传统技术模式的不足,对于提高电器设备的工作效率有着积极的意义。针对超导电力技术的研发问题进
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- 磁流变弹性体的蠕变及松弛行为建模与验证
- 作者：于国军;郭斐;褚兰晢; 来源期刊：机械工程材料 年卷号：2016(12).107-112
- 摘要：在分数阶黏弹性模型的基础上,根据Mittag-Leffler函数的性质及Laplace变换公式推导了磁流变弹性体的蠕变柔量和应力松弛模量的表达式;利用流变仪分别测试了磁流变弹性体的蠕变和松弛行为,研究了磁场和应变对蠕变柔量和应力松弛模量的影
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- 改性酰化壳聚糖缓释肥包膜材料的制备与表征
- 作者：张夏红;吕连川;余进坤; 来源期刊：宜宾学院学报 年卷号：2016(12).103-107
- 摘要：用硝酸锌和氨水为原料,以均匀沉淀法制备纳米氧化锌,经四甲氧基硅烷表面改性后,加入1%壳聚糖溶液中,制得纳米氧化锌/壳聚糖复合膜(ZnO-CTF),采用XRD、SEM、FT-IR和TG进行表征.结果表明ZnO为六方晶体结构,平均粒度为34nm,表面积大,达到纳米级别;改性后的氧化锌晶型不变,衍射峰变
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- V-TiO_2-SiO_2纳米复合薄膜降解酸性品红的研究
- 作者：侯典心;路远;杨玚; 来源期刊：红外技术 年卷号：2016(12).1020-1025
- 摘要：VO_2是一种相变温度为68℃接近室温的热致相变材料,具有十分广泛的潜在应用价值,自从被发现以来针对它的研究就从未停止。如何使用恰当的制备方法简单、快速的制备性能良好的VO_2薄膜一直是研究的热点之一。目前,VO_2薄膜常见的制备方法主要有蒸发法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉?
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